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厂商型号

BC 808-40 E6327 

产品描述

Transistors Bipolar - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR

内部编号

173-BC-808-40-E6327

生产厂商

Infineon Technologies

INFINEON

订购说明

质量保障

原厂背书质量,全面技术支持

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全场免运费 /报价不含任何销售税

BC 808-40 E6327产品详细规格

规格书 BC 808-40 E6327 datasheet 规格书
BC807, BC808
文档 Multiple Devices 14/Feb/2012
Rohs Lead free / RoHS Compliant
标准包装 3,000
晶体管类型 PNP
- 集电极电流(Ic)(最大) 500mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
Vce饱和(最大)@ IB,IC 700mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大) -
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE 250 @ 100mA, 1V
功率 - 最大 330mW
频率转换 200MHz
安装类型 Surface Mount
包/盒 TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商器件封装 PG-SOT23-3
包装材料 Tape & Reel (TR)
产品种类 Transistors Bipolar - BJT
RoHS RoHS Compliant
配置 Single
晶体管极性 PNP
集电极 - 基极电压VCBO 30 V
集电极 - 发射极最大电压VCEO 25 V
发射极 - 基极电压VEBO 5 V
集电极最大直流电流 0.5 A
增益带宽产品fT 200 MHz (Typ)
最高工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装/外壳 SOT-23-3
连续集电极电流 0.5 A
最大功率耗散 330 mW
最低工作温度 - 65 C
封装 Reel
工厂包装数量 3000
零件号别名 BC80840E6327HTSA1 BC80840E6327XT SP000015032
寿命 Obsolete
电流 - 集电极( Ic)(最大) 500mA
晶体管类型 PNP
安装类型 Surface Mount
频率 - 转换 200MHz
下的Vce饱和度(最大) Ib,Ic条件 700mV @ 50mA, 500mA
标准包装 3,000
电压 - 集电极发射极击穿(最大) 25V
供应商设备封装 PG-SOT23-3
功率 - 最大 330mW
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 250 @ 100mA, 1V
RoHS指令 Lead free / RoHS Compliant

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